摩尔定律“极限挑战”:氮化镓3DIC混合集成撬动增长新赛道
基于硅集成电路的摩尔定律10年前已近乎走到极限,如何持续提升半导体芯片性能,满足新兴需求,成为行业共同面临的关键问题。突破摩尔定律的主流方向包括探索新兴半导体材料,或通过三维堆叠改变传统芯片的二维结构,提升芯片性能。在这场半导体行业的摩尔定律“极限挑战”中,一家长三角国家技术创新中心支持的科技创新企业,以第三代半导体材料氮化镓(GaN)为基石,凭借3DIC异质混合集成技术,探索超越摩尔定律的新路径,开辟业务增长新赛道。汉骅半导体有限公司是长三角国家技术创新中心首个以“拨投结合”模式支持的重大项目公司…